Ponente
Diego Valdés Lozada
(Physics Faculty, University of Havana)
Descripción
En el presente trabajo se empleará la técnica de crecimiento SILAR (Successive ion layer absorption and reaction, por sus siglas en inglés) para el crecimiento de semiconductores de Cu en sustrato de vidrio, con el fin de obtener CuO, el cual actuará posteriormente como capa absorbente en la celda. Además se realizará la caracterización óptica de las muestras a través de la técnica UV-visible a partir de la cual se determinará el ancho de banda prohibida que poseen. La técnica SILAR es de bajo costo y permite obtener capas muy finas de materiales de aceptable calidad cristalina.
Autor primario
Diego Valdés Lozada
(Physics Faculty, University of Havana)
