Ponente
Miguel Angel Chaviano Cancio
(Facultad de Física, Universidad de La Habana)
Descripción
En este trabajo se presentan los resultados de la caracterización de sustratos de silicio tipo p sometidos a diferentes ataques químicos para estudiar su efecto sobre el valor de voltaje superficial. A modo de comparación se caracterizaron celdas con contactos y sin ellos. A las muestras se les midieron los espectros de fotovoltaje superficial (SPV) y los mapas de voltaje superficial por la técnica de microscopía de fuerza con sonda Kelvin (KPFM), tanto bajo iluminación como en ausencia de ella. Los resultados demuestran la viabilidad de la utilización de la SPS como una herramienta en el proceso de optimización de celdas solares.
Autor primario
Miguel Angel Chaviano Cancio
(Facultad de Física, Universidad de La Habana)
