Ponente
Descripción
Resumen
Los óxidos de molibdeno son compuestos con numerosas y reconocidas aplicaciones en electrónica, catálisis, unidades de almacenamiento de energía, etc. En este trabajo se obtienen óxidos de molibdeno por una novedosa técnica de Transporte Físico de Vapor a Bajo Vacío, desarrollada en los laboratorios de nuestra facultad, que permitió obtener capas de MoO2 y MoO3, respectivamente, sobre sustratos GaAs[111], Si[100] e ITO. Se explican las condiciones particulares para la obtención de las muestras. Las mismas fueron sometidas a un amplio proceso de caracterización mediante técnicas de difracción de rayos X (para la identificación del material obtenido) y las espectroscopias de transmisión óptica, fotoluminiscencia y raman, que permitieron determinar el ancho de banda prohibida del MoO3, así como su carácter indirecto, y la influencia del tipo de substrato en la calidad de las capas.
