26–30 de mayo de 2023 Ciencias Naturales, Exactas y Ténicas
Quinta de los Molinos
America/Havana zona horaria

Nanoestructuras de Óxidos de silicio y Grafeno y la modulacion de la longitud de onda y su intensidad Fotoluminiscente

No programado
20m
Centro Demostrativo de Energía Renovables (Quinta de los Molinos)

Centro Demostrativo de Energía Renovables

Quinta de los Molinos

Avenida Salvador Allende y Luaces
Presentación oral Modificación de superficies y funcionalización de materiales Nanociencia y Ciencias de Materiales

Ponente

Dr. José Alberto Luna López (Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores (CIDS-ICUAP), Benemérita Universidad Autónoma de Puebla (BUAP))

Descripción

En este trabajo se realizaron Nanoestructuras de Silicio Poroso (SiP), óxido de Silicio Rico en Silicio (SRO), Nanotubos de Carbono (CNTs) y Óxido de Grafeno (GO), estas Nanoestructuras fueron realizadas como heteroestructuras de PSi/CNTs/SRO and PSi/GO/SRO, así como estructuras PSi/CNTs/SRO and PSi/GO/SRO. Las capas de SiP fueron obtenidas por grabado electroquímico y sobre estas se depositaron los CNTs y el GO, mediante la técnica de Spin coating. Por último, películas de SRO que contiene nanocristales de Silicio fueron depositado por la técnica de método químico mediante filamento caliente (HFCVD). En estas estructuras las películas de SRO fueron usadas para confinar los NTCs y GO. A las estructuras obtenidas se les realizaron caracterizaciones Fotoluminiscentes (FL), a los espectros FL se les realizo un análisis comparativo para poder determinar a que longitudes de onda corresponde cada pico de emisión. En este trabajo la función principal de estas heteroestructuras hibridas es poder modular la emisión PL. Por esta razón estas heteroestructuras nanoestructuradas son buenos candidatos para aplicar en el campo de la fotónica.

Autores primarios

Dr. José Alberto Luna López (Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores (CIDS-ICUAP), Benemérita Universidad Autónoma de Puebla (BUAP)) Sr. Omar Gabriel Mendoza Conde (Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores (CIDS-ICUAP), Benemérita Universidad Autónoma de Puebla (BUAP))

Coautores

Dr. Haydee Patricia Martínez Hernández (Departamento de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Instituto Tecnológico de Apizaco (ITA),) Dr. José Álvaro David Hernández de la Luz (Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores (CIDS-ICUAP), Benemérita Universidad Autónoma de Puebla (BUAP)) Dr. Karim Monfil Leyva (Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores (CIDS-ICUAP), Benemérita Universidad Autónoma de Puebla (BUAP)) Sra. Zaira Jocelyn Hernández Simón (Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores (CIDS-ICUAP), Benemérita Universidad Autónoma de Puebla (BUAP))

Materiales de la presentación

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