II Simposio Internacional de Ciencia de los Materiales

Estructuras MOS con películas de SRO-HFCVD como Fotodetector

No programado

20m

Centro Demostrativo de Energía Renovables (Quinta de los Molinos)

Presentación oral Modificación de superficies y funcionalización de materiales Nanociencia y Ciencias de Materiales

Ponente

Dr. José Alberto Luna López (Benemerita Universidad Autonoma de Puebla)

Descripción

Películas delgadas de oxido de silicio rico en silicio (SRO) fueron depositadas por la técnica de depósito químico en fase vapor (HFCVD), estas fueron utilizadas para realizar estructuras Metal-Óxido-Semiconductor (MOS). Los dispositivos MOS mostraron interesantes propiedades de Corriente-Voltaje (I-V) y Corriente-Tiempo (I-T) bajo iluminación con luz blanca y una excelente respuesta como Fotodetector. Al polarizar inversamente el dispositivo con -4 volts la fotocorriente incrementa con respecto a la corriente de oscuridad 3 ordenes de magnitud que va de 82 nA hasta 25 µA. A bajos voltajes se encuentra un mecanismo de conducción tipo óhmico y a mayores voltajes pasa a ser un mecanismo de conducción tipo hopping. Las mediciones I-T confirman el incremento de la fotocorriente generada. La caracterización de mediciones Corriente-Longitud de onda (I-W) exhiben una máxima responsividad de 254 mA/W entre otras propiedades fotodetectoras interesantes. Estos resultados hacen a estas estructuras MOS ser utilizables como Fotodetectores en el rango de 420 a 590 nm.
Agradecimientos: Este trabajo fue parcialmente soportado por CONACYT-CB- , VIEP 2023, también se agradece a los laboratorios del CIDS, INAOE, IFUAP y PDS por su ayuda en la caracterización de las muestras.
Referencias
1. Hernández Simón, Z.J.; Luna López, J.A.; Hernández De la Luz, J.A.D.; Pérez García, S.; Benítez Lara, A.; García Salgado, G.; Carrillo López, J.; Mendoza Conde, G.O.; Martínez Hernández, H.P. Spectroscopic Properties of Si-nc in SiOx Films Using HFCVD. Nanomaterials 2020, 10, 1415.
2. Luna López, J.A.; Carrillo López, J.; Vázquez Valerdi, D.E.; García Salgado, G.; Díaz-Becerril, T.; Ponce Pedraza, A.; Flores Gracia, F.J. Morphological, compositional, structural, and optical properties of Si-nc embedded in SiOx films. Nanoscale Res. Lett. 2012, 7, 604.
3. Luna López, J.A.; Vázquez Valerdi, D.E.; Benítez Lara, A.; García Salgado, G.; Hernández De la Luz, J.A.D.; Morales Sánchez, A.; Flores Gracia, F.J.; Domínguez, M.A. Optical and Compositional Properties of SiOx Films Deposited by HFCVD: Effect of the Hydrogen Flow. J. Electron. Mater. 2017, 46, 2309–2322.
4. Ojeda-Durán, E.; Monfil-Leyva, K.; Carrillo-López, J.; Benítez-Lara, A.; García-Salgado, G.; Luna-López, J.A.; Down-Conversion Effect Created by SiOx Films Obtained by HFCVD and Applied over Pn-Junctions. Silicon 2018, 11, 2087–2093