Ponente
Descripción
El interés por las nanocebollas comenzó con los trabajos de Ugarte en 1992 y 1993 donde se estudia la curvatura y el cerrado de redes de grafito, así como el incremento en la esfericidad en materiales de carbono cuando se irradiaban con haces de electrones. En 1995 Xu y Tanaka reportaron la transformación de carbono amorfo en nanocebollas gigantes por irradiación con haz de electrones. Por la contribución realizada con los trabajos anteriores es conocido actualmente que la irradiación con electrones conduce a la producción de defectos puntuales modificando las propiedades estructurales y electrónicas. En nuestro trabajo se estudió la variación en las propiedades electrónicas de nanoestructuras de carbono ante la producción de defectos puntuales. Se optimizaron las geometrías de los fullerenos C60, C240, C540 y las nanocebollas C60@C240, C240@C540, C60@C240@C540 utilizando el método de la Teoría del Funcional de Densidad con aproximación de Enlace Fuerte (DFTB). Igualmente fueron calculados los valores energéticos de formación para cada defecto producido. Se obtuvieron las densidades de estados por energía lo que permitió analizar su variación al producirse defectos en la estructura. Se obtuvo la diferencia total de la carga, comparándose los resultados para las geometrías con y sin defectos. Se obtuvieron el máximo nivel electrónico ocupado (HOMO) y el mínimo nivel desocupado (LUMO) para cada una de las estructuras. Finalmente se estudió la difusión electrónica utilizando el método de banda elástica guiada (NEB),“nudged elastic band”, para determinar el Camino de Mínima Energía (MEP).
