Ponente
Descripción
Este estudio presenta la deposición selectiva de un compuesto Mo₅O₁₄/MoO₃ sobre una película de MoO₂ previamente crecida mediante CD-ICSVT. La caracterización se llevó a cabo mediante difracción de rayos X, espectroscopia Raman y microscopía electrónica de transmisión. La técnica implementada consistió en someter la película de MoO₂ a vapores de MoO₃ en condiciones de bajo vacío. Los resultados revelaron un crecimiento selectivo significativo, con la formación del compuesto Mo₅O₁₄/MoO₃ ocurriendo exclusivamente en la superficie de MoO₂, mientras que el MoO₃ puro se depositó directamente sobre la parte expuesta del sustrato empleado, SiO₂/Si. La formación del compuesto se reveló mediante difracción de rayos X y espectroscopía Raman. La deposición selectiva del compuesto se atribuye a una reacción en estado sólido entre el MoO₃ y el MoO₂ en su interfaz, facilitada por la estructura porosa de la película de MoO₂, como se evidenció mediante microscopía electrónica de barrido. Consideraciones termodinámicas respaldan este mecanismo de reacción y predicen el rango de temperatura en el cual puede ocurrir la reacción.
