Ponente
Descripción
La espectroscopía de fotovoltaje superficial (SPS) se empleó para caracterizar las transiciones energéticas en nanohilos (NWs) de ZnO puros y dopados con azufre (S), crecidos sobre silicio mediante depósito químico en fase vapor (CVD). Los espectros de fotovoltaje (SPV) mostraron tres transiciones energéticas principales, identificadas mediante análisis con el método de la derivada y gráficos de Tauc, correspondientes al band gap y a niveles de defecto. Aunque el dopaje con S no indujo cambios notables en las señales de SPV o fotoluminiscencia (PL), la comparación entre ambas técnicas reveló una relación inversa: mayores señales SPV se correlacionan con menores intensidades de PL, indicativo de una reducción en la recombinación radiativa y una mejora en la separación/recolección de fotoportadores. Este estudio subraya la capacidad de la SPS para investigar sin contacto la estructura electrónica y los procesos de recombinación en NWs de ZnO, información crucial para el desarrollo y optimización de sus aplicaciones en sensado, conversión fotovoltaica y optoelectrónica.
